FW359

No.7549-1/6

新

特長

・低オン抵抗、超高速スイッチング , 4V 駆動の N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを

 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。

・オン抵抗性が優れている。

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

N-channel

P-channel

unit

ドレイン・ソース電圧

VDSS

60

− 60

V

ゲート・ソース電圧

VGSS

±20

± 20

V

ドレイン電流（DC）

ID

3− 3

A

ドレイン電流（PW=10s）

ID

duty cycle ≦ 1%

3.5

− 3.5

A

ドレイン電流（PW=100ms）

ID

duty cycle ≦ 1%

5.5

− 5.5

A

ドレイン電流（パルス）

IDP

PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%

14

− 14

A

許容損失

PD

1.8

W

1unit, PW ≦ 10s

全損失

PT

2.2

W

PW ≦ 10s

チャネル温度

Tch

150

℃

保存周囲温度

Tstg

− 55 ∼＋ 150

℃

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

[N-channel]

min

typ

max

unit

ドレイン・ソース降伏電圧

V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0

60

V

ドレイン・ソースしゃ断電流

IDSS

VDS=60V, VGS=0

1

µA

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単体品名表示：W359

電気的接続図

FW359

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

N7549

注文コード No. N7549

N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ

超高速スイッチング用

22004

22004 TS IM ◎佐藤 TA-100552

本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、

多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に

は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。

本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥

について、弊社は責任を負いません。

1 : Source1

2 : Gate1

3 : Source2

4 : Gate2

5 : Drain2

6 : Drain2

7 : Drain1

8 : Drain1

SANYO : SOP8

外形図 2129

(unit : mm)

14

5

8

0.2

5.0

0.595

1.27

0.43

876

5

123

4

(Top view)

1 : Source1

2 : Gate1

3 : Source2

4 : Gate2

5 : Drain2

6 : Drain2

7 : Drain1

8 : Drain1