2SK974L datasheet(6/7 Pages) HITACHI

Nome de Peças	2SK974L

Descrição Electrónicos	Silicon N-Channel MOS FET

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Fabricante Electrônico	HITACHI [Hitachi Semiconductor]

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2SK974 L , 2SK974 S

3

1.0

0.3

0.1

0.03

0.01

10

µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (s)

100

µ

110

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

θch–c (t) = γ

s (t) · θch–c

θch–c = 6.25°C/W, T

C = 25°C

PDM

PW

D =PW

T

TC = 25°C

D = 1

0.5

0.05

1 Shot

Pulse

0.2

0.1

0.02

0.01

10

8

6

4

2

0

0.4

1.2

1.6

2.0

Source to Drain Voltage VSD (V)

0.8

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

VGS = 0, –5 V

Pulse Test

10 V

5 V

15 V

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