Os motores de busca de Datasheet de Componentes eletrônicos
  Portuguese  ▼
ALLDATASHEETPT.COM

X  

MDA2061 Folha de dados(PDF) 3 Page - List of Unclassifed Manufacturers

Nome de Peças MDA2061
Descrição Electrónicos  MDA2062
Download  7 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
Fabricante Electrônico  ETC1 [List of Unclassifed Manufacturers]
Página de início  
Logo ETC1 - List of Unclassifed Manufacturers

MDA2061 Folha de dados(HTML) 3 Page - List of Unclassifed Manufacturers

  MDA2061 Datasheet HTML 1Page - List of Unclassifed Manufacturers MDA2061 Datasheet HTML 2Page - List of Unclassifed Manufacturers MDA2061 Datasheet HTML 3Page - List of Unclassifed Manufacturers MDA2061 Datasheet HTML 4Page - List of Unclassifed Manufacturers MDA2061 Datasheet HTML 5Page - List of Unclassifed Manufacturers MDA2061 Datasheet HTML 6Page - List of Unclassifed Manufacturers MDA2061 Datasheet HTML 7Page - List of Unclassifed Manufacturers  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 3 / 7 page
background image
ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПЗУ
MDA2061/2062
ФУНКЦИОНАЛЬНОЕ ОПИСАНИЕ.
Операции с памятью
Внутреннее адресное пространство памяти находится в
пределах от адреса #128 до адреса #255. Адреса #4 и #14
выполняют
специальные
функции.
Чтение
и
программирование осуществляется посредством IM-шины.
Чтобы
прочесть
слово
данных,
в
первую
очередь
необходимый
адрес
памяти должен быть введен в
адресный
регистр
памяти.
Это
осуществляется
последовательным введением через 1М-шину адреса #128
(или #132 при задействовании вывода ОРТ при НИЗКОМ
уровне на выводе IMI с последующим введением адреса
памяти (сигнал
IMI равен "I"). Указанная последова-
тельность
действий
образует
одиночную
операцию
обращения посредством IM-шины.
После установки адресного регистра возможно считывание
данных из памяти. Считывание осуществляется передачей
посредством
IM-шины
адреса
#129
(или
#133
при
задействовании вывода ОРТ) при НИЗКОМ уровне на
выводе IMI. Сразу после этого, при ВЫСОКОМ уровне на
выводе
IMI
с
вывода
1Mb
будет
производиться
последовательная
передача
соответствующего
8-
разрядного содержимого памяти.
Перепрограммирование
участка
памяти
(8-разрядного
слова)-происходит в два этапа, которые одинаковы за
исключением ввода слова данных.
Первый этап: в выбранном участке памяти все разряды
устанавливаются в "I";
Второй
этап:
программирование
необходимого
слова
данных
в выбранный участок памяти.
На первом этапе, необходимый адрес памяти вводится так,
как было описано выше при описании процесса чтения
данных. Затем передается через IM-шину адрес #131 (или
#135 при задействовании вывода ОРТ) при НИЗКОМ
уровне на выводе IMI, затем при ВЫСОКОМ уровне на
выводе IMI, передается слово данных 255D, то есть все
разряды устанавливаются в "I". Сразу после этого внутри
микросхемы
начинается
проверка
правильности
программирования, в течение около 16 периодов тактовой
частоты
памяти (1 кГц). В течение этого времени
микросхема находится в состоянии "Занято", все входы
заблокированы от воздействия на программирование за
исключением входа RES. При НИЗКОМ уровне на выводе
RES
прерывается
любая операция программирования,
которая проводится в это время. О состоянии "Занято"
можно запросить. прочитав первый разряд по адресу #14.
ЕДИНИЦА в этом разряде означает, что программирование
еще продолжается. При вводе адреса #14 следует всегда
запрашивать состояние первого разряда.
При чтении ячеек памяти с другими адресами во время
состояния "Занято"
с
выхода IMD будут выдаваться
ошибочные (ложные) данные. Изменение адреса во время
состояния
"Занято"
не
будет
изменять содержимого
адресного регистра памяти. Попытка начать следующую
операцию программирования во время состояния "Занято",
также не будет иметь успеха.
После
перерыва
на
проверку
программирования
нормальная работа может быть возобновлена, например,
выполнением второго шага программирования, то есть
записи
необходимого
8-битового
слова
данных
в
соответствующую ячейку памяти. Если необходимо, можно
перезаписать соответствующий адрес памяти. Также как на
первом
этапе передается адрес #131 (или #135 при
задействовании
вывода
ОРТ),
за
которым
следует
необходимое 8-разрядное слово данных. Потенциал входа
IMI изменяется в той же последовательности, как и
ранее. Микросхема вновь будет проверять правильность
программирования
(сравнения
программной
последовательности), как это было описано выше. После
паузы данные могут быть вновь перепрограммированы.
Резервирование
Микросхема
MDA2061/2062
содержит
схему,
которая
позволяет поменять до двух строк в матрице памяти,
каждая из которых содержит 4 байта памяти, на резервные
строки SR1 и SR2. Подстановка может быть сделана
пользователем.
Чтобы приготовить к работе строку SR1. ячейка памяти с
адресом 192 должна содержать 5 младших значащих
разрядов тех адресов памяти, которые идентифицируют
строку, подлежащую замене. Кроме того. пятый разряд
следует установить равным "О", что означает работу строки
SR1 (См. Рис. 1).
Чтобы подготовить для работы SR2 ячейка памяти с
адресом #160 должна быть установлена аналогично ячейке
#192.
После активизации замена строк выполняется чтением
содержимого ячеек памяти с адресами # 192 и # 160. Это
переносит
информацию из энергонезависимой матрицы
памяти в энергозависимые регистры. Важно запомнить, что
регистры очищаются (разряд 5 устанавливается в "1")
НИЗКИМ уровнем сигнала RES. Поэтому, любые изменения
уровня сигнала RES с НИЗКОГО на ВЫСОКИЙ должны
немедленно сопровождаться чтением
ячеек
памяти с
адресами
#192
и
#160.
что
вызывает
перезапись
информации в регистр.
Строка SR2 может быть заменена на SR1, тогда как стока
SR1 на SR2 - нет. Строки SR1 и SR2 находятся в части
матрицы памяти, которая не защищается сигналом S.
Ячейки
адресов
памяти
#192
и
#160
находятся
в
защищаемой части памяти.
Тестирование
Микросхема MDA2061/2062 содержит схему, предназначен-
ную для обеспечения тестирования различных функций.
Путем программирования данных в ячейке с адресом #4
микросхема переключается в один или большее число
режимов тестирова-
Защищенная матрица
Программируемая матрица памяти имеет защищенную
часть. Ячейки садресами с #128-#134, #160-#166, #192-#198
и #224 - #230 могут программироваться, если сигнал^ имеет
ВЫСОКИЙ уровень. Таким образом эта часть памяти
защищена
от
несанкционированного
перепрограммирования даже, если ложная информация
принимается
через
(М-шину.
Остальная
часть
программируемой матрицы памяти не защище-
227


Nº de peça semelhante - MDA2061

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
New Jersey Semi-Conduct...
MDA206 NJSEMI-MDA206 Datasheet
89Kb / 1P
   MINIATURE INTEGRAL DIODE ASSEMBLIES
logo
Rectron Semiconductor
MDA206G RECTRON-MDA206G Datasheet
21Kb / 2P
   SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 2.0 Amperes)
MDA206G RECTRON-MDA206G Datasheet
30Kb / 2P
   SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
More results


Html Pages

1 2 3 4 5 6 7


Folha de dados Download

Go To PDF Page


Ligação URL




Privacy Policy
ALLDATASHEETPT.COM
ALLDATASHEET é útil para você?  [ DONATE ] 

Sobre Alldatasheet   |   Publicidade   |   Contato conosco   |   Privacy Policy   |   roca de Link   |   Lista de Fabricantes
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com