BF1100 datasheet(6/15 Pages) NXP

Nome de Peças	BF1100

Descrição Electrónicos	Dual-gate MOS-FETs

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Fabricante Electrônico	NXP [NXP Semiconductors]

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NXP Semiconductors

Product speciﬁcation

Dual-gate MOS-FETs

BF1100; BF1100R

Fig.7 Output characteristics; typical values.

VG2-S =4V.

Tj =25 °C.

handbook, halfpage

0

20

16

4

8

12

0

416

MLD159

812

I D

(mA)

V

(V)

DS

1.3 V

1.2 V

1.1 V

1.0 V

0.9 V

V

= 1.4 V

G1 S

Fig.8 Transfer characteristics; typical values.

VDS = 9 to 12 V.

Tj =25 °C.

handbook, halfpage

0

20

16

4

8

12

0

0.4

2.0

MLD160

0.8

1.2

1.6

I D

(mA)

V

(V)

G1 S

V

= 4 V

2.5 V

2 V

1.5 V

1 V

G2 S

3 V

Fig.9

Gate 1 current as a function of gate 1

voltage; typical values.

VDS = 9 to 12 V.

Tj =25 °C.

handbook, halfpage

01

23

250

200

150

50

0

100

MLD161

I G1

(

µA)

V

(V)

G1 S

3 V

2.5 V

2 V

3.5 V

V

= 4 V

G2 S

Fig.10 Forward transfer admittance as a function

of drain current; typical values.

VDS = 9 to 12 V.

Tj =25 °C.

handbook, halfpage

0

40

20

30

10

0

10

20

30

MLD162

y fs

(mS)

I

(mA)

D

3 V

2.5 V

2 V

V

= 4 V

G2 S

3.5 V

Rev. 02 - 13 November 2007

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