SI1050X-T1-E3 datasheet(3/6 Pages) VISHAY

Nome de Peças	SI1050X-T1-E3

Descrição Electrónicos	N-Channel 8-V (D-S) MOSFET

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Document Number: 73896

S-80641-Rev. B, 24-Mar-08

www.vishay.com

3

Vishay Siliconix

Si1050X

TYPICAL CHARACTERISTICS

TA = 25 °C, unless otherwise noted

Output Characteristics

On-Resistance vs. Drain Current

Qg - Gate Charge

0

1

2

3

4

5

6

0.0

0.6

1.2

1.8

2.4

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

V

= 5 thru 2 V

V

= 1.5 V

V

= 1.0 V

GS

0.03

0.06

0.09

0.12

0.15

0123456

VGS = 4.5 V

ID - Drain Current (A)

VGS = 1.5 V

VGS = 1.8 V

VGS = 2.5 V

0

1

2

3

4

5

0246

8

10

ID = 1.34 A

Qg - Total Gate Charge (nC)

VGS = 6.4 V

VDS = 4 V

Transfer Characteristics curves vs. Temp.

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

TC = 125 °C

TC = - 55 °C

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

TC = 25 °C

Crss

0

200

400

600

800

1000

01234

567

8

Coss

Ciss

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

TJ - Junction Temperature (°C)

VGS = 2.5 V, ID = 1.30 A

VGS = 1.5 V, ID = 0.76 A

VGS = 4.5 V, ID = 1.34 A

VGS = 1.8 V, ID = 1.23 A

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