SI1400DL datasheet(3/5 Pages) VISHAY

Nome de Peças	SI1400DL

Descrição Electrónicos	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Document Number: 71179

S-71951-Rev. C, 10-Sep-07

www.vishay.com

3

Vishay Siliconix

Si1400DL

New Product

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

On-Resistance vs. Drain Current

Gate Charge

Source-Drain Diode Forward Voltage

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0

1234

5

ID - Drain Current (A)

VGS = 2.5 V

VGS = 4.5 V

0

0.9

1.8

2.7

3.6

4.5

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

VDS = 10 V

ID = 1.7 A

Qg - Total Gate Charge (nC)

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

TJ = 150 °C

TJ = 25 °C

10

0.1

VSD -)

V

(

e

g

a

t

l

o

V

n

i

a

r

D

-

o

t

-

e

c

r

u

o

S

1

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

0

60

120

180

240

300

04

8

12

16

20

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

Crss

Coss

Ciss

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

VGS = 4.5 V

ID = 1.7 A

TJ - Junction Temperature (°C)

0

0.08

0.16

0.24

0.32

0.40

01

2

3

45

ID = 1.7 A

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
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