SI1405BDH datasheet(3/6 Pages) VISHAY

Nome de Peças	SI1405BDH

Descrição Electrónicos	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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S-71945-Rev. A, 10-Sep-07

www.vishay.com

3

Vishay Siliconix

Si1405BDH

New Product

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

Output Characteristics

On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage

Gate Charge

VGS = 2 V

0

2

4

6

8

012

34

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

VGS = 5 V thru 2.5 V

VGS = 1.5 V

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

024

6

8

ID - Drain Current (A)

VGS = 4.5 V

VGS = 2.5 V

VGS = 1.8 V

0

1

2

3

4

5

012345

ID = 2.8 A

Qg - Total Gate Charge (nC)

VDS = 4 V

VDS = 6.4 V

Transfer Characteristics

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

0.0

0.6

1.2

1.8

2.4

3.0

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

TJ = 125 °C

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

TJ = 25 °C

TJ = - 55 °C

0

100

200

300

400

500

024

68

Crss

Coss

Ciss

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

1.8

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

TJ - Junction Temperature (°C)

VGS = 1.8 V, ID = 0.5 A

VGS = 4.5 V, ID = 2.8 A

VGS = 2.5 V, ID = 2.3 A

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