FQD2N60CTM datasheet(3/9 Pages) FAIRCHILD

Nome de Peças	FQD2N60CTM

Descrição Electrónicos	N-Channel QFET짰 MOSFET

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Fabricante Electrônico	FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]

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Typical Performance Characteristics

Figure 1. On-Region Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

Figure 3. On-Resistance Variation vs.

Figure 4. Body Diode Forward Voltage

Drain Current and Gate Voltage

Variation vs. Source Current

and Temperatue

Figure 5. Capacitance Characteristics

Figure 6. Gate Charge Characteristics

10

-1

10

0

10

1

10

-2

10

-1

10

0

V

GS

Top :

15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

5.5 V

5.0 V

Bottom: 4.5 V

Notes :

※

1. 250µs Pulse Test

2. T

C = 25℃

V

DS, Drain-Source Voltage [V]

2468

10

-1

10

0

10

1

150

oC

25

oC

-55

oC

Notes :

※

1. V

DS = 40V

2. 250µs Pulse Test

V

GS, Gate-Source Voltage [V]

0123

45

0

2

4

6

8

10

12

V

GS = 20V

V

GS = 10V

Note : T

※

J = 25

℃

I

D, Drain Current [A]

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

10

-1

10

0

150℃

Notes :

※

1. V

GS = 0V

2. 250µ s Pulse Test

25℃

V

SD, Source-Drain voltage [V]

10

-1

10

0

10

1

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

500

C

iss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)

C

oss = Cds + Cgd

C

rss = Cgd

Notes ;

※

1. V

GS = 0 V

2. f = 1 MHz

C

rss

C

oss

C

iss

V

DS, Drain-Source Voltage [V]

0

2468

10

0

2

4

6

8

10

12

V

DS = 300V

V

DS = 120V

V

DS = 480V

Note: I

※

D = 2A

Q

G, Total Gate Charge [nC]

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9 Fairchild Semiconductor Corporation

FQD2N60C / FQU2N60C Rev.

C0

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