FDD6N50 datasheet(5/9 Pages) FAIRCHILD

Nome de Peças	FDD6N50

Descrição Electrónicos	N-Channel UniFETTM MOSFET500 V, 6 A, 900 m廓

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Fabricante Electrônico	FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]

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FDD6N50 / FDU6N50 Rev. C1

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5

Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform

Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms

Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms

VGS

VDS

10%

90%

t

d(on)

t

r

t

on

t

off

t

d(off)

t

f

VDD

10V

VDS

RL

DUT

RG

VGS

VDS

10%

90%

t

d(on)

t

r

t

on

t

off

t

d(off)

t

f

VDD

10V

VDS

RL

DUT

RG

VGS

Charge

VGS

10V

Qg

Qgs

Qgd

3mA

VGS

DUT

VDS

300nF

50KΩ

200nF

12V

Same Type

as DUT

Charge

VGS

10V

Qg

Qgs

Qgd

3mA

VGS

DUT

VDS

300nF

50KΩ

200nF

12V

Same Type

as DUT

EAS =L IAS2

----

2

1

--------------------

BVDSS -VDD

BVDSS

VDD

VDS

BVDSS

t

p

VDD

IAS

VDS (t)

ID (t)

Time

10V

DUT

RG

L

I D

t

p

EAS =L IAS2

----

2

1

EAS =L IAS2

----

2

1

----

2

1

--------------------

BVDSS -VDD

BVDSS

VDD

VDS

BVDSS

t

p

VDD

IAS

VDS (t)

ID (t)

Time

10V

DUT

RG

LL

I D

t

p

VGS

IG = const.

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Fairchild Semiconductor	FDD6N50F	354Kb / 9P	N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15廓
Inchange Semiconductor ...	FDD6N50F	331Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Fairchild Semiconductor	FDD6N50FTF	354Kb / 9P	N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15廓
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