2SD1026 datasheet(2/3 Pages) SAVANTIC

Nome de Peças	2SD1026

Descrição Electrónicos	Silicon NPN Power Transistors

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Fabricante Electrônico	SAVANTIC [Savantic, Inc.]

Página de início	http://www.svntc.com

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SavantIC Semiconductor

Product Specification

2

Silicon NPN Power Transistors

2SD1026

CHARACTERISTICS

Tj=25

unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

VCEsat

Collector-emitter saturation voltage

IC=10A; IB=20mA

1.5

V

VBEsat

Base-emitter saturation voltage

IC=10A; IB=20mA

2.0

V

ICEO

Collector cut-off current

VCE=100V; IB=0

0.1

mA

ICBO

Collector cut-off current

VCB=100V; IE=0

0.1

mA

IEBO

Emitter cut-off current

VEB=7V; IC=0

5

mA

hFE

DC current gain

IC=10A ; VCE=3V

1500

30000

fT

Transition frequency

IC=1.5A ; VCE=10V

20

MHz

ton

Turn-on time

2

µs

ts

Storage time

5

µs

tf

Fall time

IC=15A; IB1=IB2=20mA

RL=2>;VBB2=4V

3

µs

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