FQD20N06LTM datasheet(3/8 Pages) FAIRCHILD

Nome de Peças	FQD20N06LTM

Descrição Electrónicos	N-Channel QFET짰 MOSFET 60 V, 17.2 A, 42 m廓

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Fabricante Electrônico	FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]

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FQU20N06L Rev. C3

www.fairchildsemi.com

3

Typical Characteristics

4

0

8

12

16

20

0

2

4

6

8

10

12

V

DS = 30V

V

DS = 48V

※ Note : I

D = 21A

Q

G, Total Gate Charge [nC]

10

-1

10

0

10

1

0

500

1000

1500

C

iss = Cgs + Cgd (Cds = shorted)

C

gd

ds

C

oss = C

+ C

gd

C

rss =

※ Notes :

1. V

GS = 0 V

2. f = 1 MHz

C

rss

C

oss

C

iss

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

10

-1

10

0

10

1

150℃

※ Notes :

1. V

GS = 0V

2. 250μ s Pulse Test

25℃

V

SD, Source-Drain voltage [V]

0

1

2030

40

0

5

60

20

40

60

80

100

V

GS = 10V

V

GS = 5V

※ Note : T

J = 25

℃

I

D, Drain Current [A]

0

02

8

10

-1

10

0

10

1

150℃

25℃

-55℃

※ Notes :

1. V

DS = 25V

2. 250μ s Pulse Test

10

-1

10

0

10

1

10

0

10

1

V

GS

Top :

10.0 V

8.0 V

6.0 V

5.0 V

4.5 V

4.0 V

3.5 V

Bottom: 3.0 V

※ Notes :

1. 250μ s Pulse Test

2. T

C = 25

℃

V

DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 5. Capacitance Characteristics

Figure 6. Gate Charge Characteristics

Figure 3. On-Resistance Variation vs.

Drain Current and Gate Voltage

Figure 4. Body Diode Forward Voltage

Variation vs. Source Current and

Temperature

V

GS, Gate-Source Voltage [V]

Figure 2. Transfer Characteristics

V

DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 1. On-Region Characteristics

6

4

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