2SK1636L datasheet(5/9 Pages) HITACHI

Nome de Peças	2SK1636L

Descrição Electrónicos	Silicon N-Channel MOS FET

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Fabricante Electrônico	HITACHI [Hitachi Semiconductor]

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2SK1636(L), 2SK1636(S)

5

10

410

Gate to Source Voltage VGS (V)

8

2

26

8

0

4

6

Drain to Source Saturation Voltage

vs. Gate to Source Voltage

ID = 15 A

10 A

5 A

Pulse Test

5

100

Drain Current ID (A)

1

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Drain Current

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

2

5

10

20

50

VGS = 10 V

Pulse Test

15 V

1.0

40

160

Case Temperature TC (°C)

0.8

0.2

0

80

120

0

0.4

0.6

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Temperature

–40

Pulse Test

VGS = 10 V

ID = 15 A

10 A

5 A

50

Forward Transfer Admittance

vs. Drain Current

0.5

20

10

5

2

1

0.5

Drain Current ID (A)

12

5

10

20

VDS = 10 V

Pulse Test

TC = –25°C

25°C

75°C

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
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	2SK1526	50Kb / 9P	Silicon N-Channel MOS FET
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