SI1302DL-T1 datasheet(3/9 Pages) VISHAY

Nome de Peças	SI1302DL-T1

Descrição Electrónicos	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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S10-2140-Rev. F, 20-Sep-10

www.vishay.com

3

Vishay Siliconix

Si1302DL

TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)

On-Resistance vs. Drain Current

Gate Charge

Source-Drain Diode Forward Voltage

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

VGS = 10 V

VGS = 4.5 V

ID - Drain Current (A)

0

2

4

6

8

10

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

VDS = 15 V

ID = 0.6 A

Qg - Total Gate Charge (nC)

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1

0.1

TJ = 150 °C

TJ = 25 °C

VSD -Source-to-Drain Voltage (V)

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

0

10

20

30

40

50

60

04

8

12

16

20

Crss

Coss

Ciss

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

VGS = 10 V

ID = 0.6 A

TJ -Junction Temperature (°C)

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

1.8

0246

8

10

ID = 0.6 A

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

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