MTB09P03E3-0-UB-X datasheet(3/8 Pages) CYSTEKEC

Nome de Peças	MTB09P03E3-0-UB-X

Descrição Electrónicos	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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Fabricante Electrônico	CYSTEKEC [Cystech Electonics Corp.]

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CYStech Electronics Corp.

Spec. No. : C808E3

Issued Date : 2014.12.22

Revised Date :

Page No. : 3/8

MTB09P03E3

CYStek Product Specification

Characteristics (TC=25

°C, unless otherwise specified)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Static

BVDSS

-30

-

V

VGS=0V, ID=-250μA

∆BVDSS/∆Tj

-

-22

-

mV/°C

Reference to 25°C, ID=-250μA

VGS(th)

-1.0

-

-2.5

V

VDS = VGS, ID=-250μA

GFS

-

37

-

S

VDS =-5V, ID=-25A

IGSS

-

±

100

nA

VGS=±20V

-

-1

VDS =-30V, VGS =0V

IDSS

-

-25

μA

VDS =-24V, VGS =0V, Tj=125

°C

-

6.7

9

VGS =-10V, ID=-25A

*RDS(ON)

-

10.2

17

mΩ

VGS =-4.5V, ID=-10A

Dynamic

*Qg

-

66

-

*Qgs

-

12.7

-

*Qgd

-

11.4

-

nC

ID=-25A, VDS=-24V, VGS=-10V

*td(ON)

-

16

-

*tr

-

16.4

-

*td(OFF)

-

92.8

-

*tf

-

27.2

-

ns

VDS=-15V, ID=-25A, VGS=-10V,

RG=3.3Ω

Ciss

-

3628

-

Coss

-

356

-

Crss

-

34

-

pF

VGS=0V, VDS=-25V, f=1MHz

Rg

-

6.3

-

Ω

f=1MHz

Source-Drain Diode

*IS

-

-75

*ISM

-

-300

A

*VSD

-

-0.88

-1.2

V

IS=-25A, VGS=0V

*trr

-

17.5

-

ns

*Qrr

-

8.0

-

nC

IF=-25A, VGS=0V, dI/dt=100A/μs

*Pulse Test : Pulse Width

≤300μs, Duty Cycle≤2%

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