SPI80N08S2-07 datasheet(5/8 Pages) INFINEON

Nome de Peças	SPI80N08S2-07

Descrição Electrónicos	OptiMOS Power-Transistor

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Fabricante Electrônico	INFINEON [Infineon Technologies AG]

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2003-05-09

Page 5

SPI80N08S2-07

SPP80N08S2-07,SPB80N08S2-07

5 Typ. output characteristic

ID = f (VDS); Tj=25°C

parameter: tp = 80 µs

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

V

5

VDS

0

20

40

60

80

100

120

140

160

A

190

SPP80N08S2-07

VGS [V]

a

4.5

b

5.0

c

5.3

d

5.5

e

5.8

f

6.0

g

6.3

h

6.5

i

6.8

j

Ptot = 300W

j

10.0

6 Typ. drain-source on resistance

RDS(on) = f (ID)

parameter: VGS

0

20

40

60

80

100

120

A

160

ID

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

m

Ω

26

SPP80N08S2-07

VGS [V] =

d

5.5

e

5.8

f

6.0

g

6.3

h

6.5

i

6.8

j

10.0

7 Typ. transfer characteristics

ID= f ( VGS ); VDS≥ 2 x ID x RDS(on)max

parameter: tp = 80 µs

0

1

2

3

4

5

VGS

7

V

0

20

40

60

80

100

120

A

160

8 Typ. forward transconductance

gfs = f(ID); Tj=25°C

parameter: gfs

0

20

40

60

80

A

120

ID

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

S

120

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