2SD1239 datasheet(2/2 Pages) ISC

Nome de Peças	2SD1239

Descrição Electrónicos	isc Silicon NPN Power Transistor

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Fabricante Electrônico	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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isc Product Specification

isc website：www.iscsemi.com

isc & iscsemi is registered trademark

2

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1239

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

MAX

UNIT

V(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= 1mA; IB= 0

150

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA; IB= 0

120

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE= 1mA; IC= 0

10

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 10A; IB= 1A

1.5

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 10A; IB= 1A

2.0

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 150V; IE= 0

0.1

mA

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE= 120V; IB= 0

0.1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 6V; IC= 0

0.1

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= 1A ; VCE= 2V

100

300

hFE-2

DC Current Gain

IC= 10A ; VCE= 2V

20

COB

Output Capacitance

IE= 0 ; VCB= 10V,ftest= 1MHz

200

pF

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