SIR424DP-T1-GE3 datasheet(3/7 Pages) VBSEMI

Nome de Peças	SIR424DP-T1-GE3

Descrição Electrónicos	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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Fabricante Electrônico	VBSEMI [VBsemi Electronics Co.,Ltd]

Página de início	www.VBsemi.com

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TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)

Output Characteristics

Transconductance

Capacitance

0

15

30

45

60

75

100

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

VGS = 10 thru 4 V

VGS = 3 V

VGS = 2 V

0

100

200

300

400

500

600

0

1020

3040

5060

70

8090

ID - Drain Current (A)

TC = - 55 °C

TC = 25 °C

TC = 125 °C

0

1000

1500

2000

3000

4000

0

6

12

18

24

30

Crss

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

Coss

Ciss

Transfer Characteristics

RDS(on) vs. Drain Current

Gate Charge

0.0

0.6

1.2

1.8

2.4

3.0

01234

GS - Gate-to-Source Voltage (V)

TC = 25 °C

- 55 °C

TC = 125 °C

V

0.0010

0.0015

0.0020

0.0025

0.0030

0

153045607590

VGS = 4.5 V

ID - Drain Current (A)

VGS = 10 V

0

2

4

6

8

10

0

30

60

90

120

150

180

ID = 32 A

Qg - Total Gate Charge (nC)

VDS = 15 V

VDS = 24 V

SIR424DP-T1-GE3

3

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