MJE521_03 datasheet(2/4 Pages) STMICROELECTRONICS

Nome de Peças	MJE521

Descrição Electrónicos	SILICON NPN TRANSISTOR

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Fabricante Electrônico	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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THERMAL DATA

Rthj-amb

Thermal Resistance Junction-ambient

Max

3.12

oC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25

oC unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

ICBO

Collector Cut-off

Current (IE = 0)

VCB = 40 V

100

µA

IEBO

Emitter Cut-off Current

(IC = 0)

VEB = 4 V

100

µA

VCEO(sus)

∗ Collector-Emitter

Sustaining Voltage

(IB = 0)

IC = 0.1 A

40

V

hFE

DC Current Gain

IC = 1 A

VCE = 1 V

40

∗ Pulsed: Pulse duration = 300µs, duty cycle ≤ 1.5%

MJE521

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