KMC7D0CN20CA datasheet(2/5 Pages) KEC

Nome de Peças	KMC7D0CN20CA

Descrição Electrónicos	Common N-Ch Trench MOSFET

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Fabricante Electrônico	KEC [KEC(Korea Electronics)]

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2008. 3. 4

2/5

KMC7D0CN20CA

Revision No : 2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V, ID=250 A

20

-

V

Drain Cut-off Current

IDSS

VDS=16V, VGS=0V

-

1

A

Gate Leakage Current

IGSS

VGS=

10V, VDS=0V

-

10

A

Gate Threshold Voltage

Vth

VDS=VGS, ID=250 A

0.5

0.7

1.5

V

Drain-Source ON Resistance

RDS(ON)*

VGS=4.5V, ID=4.0A

-

16.5

20.5

m

VGS=4.0V, ID=4.0A

-

17.0

21.0

VGS=3.1V, ID=4.0A

-

18.5

22.5

VGS=2.5V, ID=4.0A

-

20.5

26.0

Forward Transconductance

gfs*

VDS=5V, ID=5A

-

12

-

S

Dynamic

Input Capacitance

Ciss

VDS=10V, VGS=0V, f=1.0MHz

-

150

-

pF

Output Capacitance

Coss

-

135

-

Reverse transfer Capacitance

Crss

-

120

-

Total Gate Charge

Qg*

VDS=10V, ID=7A

VGS=4.0V

-

7.5

-

nC

Gate-Source Charge

Qgs*

-

1.4

-

Gate-Drain Charge

Qgd*

-

3.6

-

Turn-on Delay time

td(on)*

VDS=10V, ID=4.0A, VGS=4.0V,

RG=6

-

40

-

ns

Turn-on Rise time

tr*

-

160

-

Turn-off Delay time

td(off)*

-

190

-

Turn-off Fall time

tf*

-

200

-

Source-Drain Diode Ratings

Source-Drain Diode Forward Voltage

VSD*

VGS=0V, IS=1.7A

-

0.8

1.2

V

Note > *Pulse test : Pulse width

300

, Duty Cycle

2%.

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
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