STD95NH02L-1 datasheet(5/16 Pages) STMICROELECTRONICS

Nome de Peças	STD95NH02L-1

Descrição Electrónicos	N-channel 24V - 0.0039廓 - 80A - DPAK - IPAK Ultra low gate charge STripFET??Power MOSFET

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Fabricante Electrônico	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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STD95NH02L - STD95NH02L-1

Electrical characteristics

5/16

Table 6.

Source drain diode

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

ISD

ISDM

(1)

1.

Pulse width limited by safe operating area.

Source-drain current

(pulsed)

80

320

A

VSD

(2)

2.

Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%

Forward on voltage

ISD = 40A, VGS = 0

1.3

V

trr

Qrr

IRRM

Reverse recovery time

Reverse recovery charge

Reverse recovery current

ISD = 80A, di/dt = 100A/µs,

VDD = 20V, Tj = 150°C

(see Figure 16)

42

50.4

2.4

ns

nC

A

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