2SA1485 datasheet(4/8 Pages) RENESAS

Nome de Peças	2SA1485

Descrição Electrónicos	Silicon PNP Epitaxial

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Fabricante Electrônico	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Página de início	http://www.renesas.com

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2SA1485

2

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Ratings

Unit

Collector to base voltage

V

CBO

–200

V

Collector to emitter voltage

V

CEO

–200

V

Emitter to base voltage

V

EBO

–5

V

Collector current

I

C

–100

mA

Collector power dissipation

P

C

200

mW

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

°C

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test conditions

Collector to base breakdown

voltage

V

(BR)CBO

–200

—

V

I

C = –10 µA, IE = 0

Collector to emitter breakdown

voltage

V

(BR)CEO

–200

—

V

I

C = –0.5 mA, RBE = ∞

Emitter to base breakdown

voltage

V

(BR)EBO

–5

—

V

I

E = –10 µA, IC = 0

Collector cutoff current

I

CEO

—

–500

µAV

CE = –200 V, RBE = ∞

DC current transfer ratio

h

FE

100

—

250

V

CE = –12 V, IC = –2 mA*

1

Collector to emitter saturation

voltage

V

CE(sat)

—

–0.5

V

I

C = –30 mA, IB = –3 mA*

1

Base to emitter voltage

V

BE

—

–1.0

V

CE = –12 V, IC = –2 mA*

1

Note:

1. Pulse test

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