SI2333CDS datasheet(3/6 Pages) VISHAY

Nome de Peças	SI2333CDS

Descrição Electrónicos	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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S-81445-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

3

Vishay Siliconix

Si2333CDS

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

Output Characteristics

On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage

Gate Charge

0

5

10

15

20

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

VGS =5thru 2.5 V

VGS =1 V

VGS =1.5 V

VGS =2 V

0.00

0.02

0.04

0.06

0.08

0.10

0

5

10

15

20

ID - Drain Current (A)

VGS =1.8V

VGS =4.5 V

VGS =2.5 V

0

2

4

6

8

0

5

10

15

20

25

Qg - Total Gate Charge (nC)

VDS =6 V

ID =5.1 A

VDS =9 V

VDS =3 V

Transfer Characteristics

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

TC = 25 °C

TC = 125 °C

TC =- 55 °C

Crss

0

600

1200

1800

2400

036

9

12

Ciss

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

Coss

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

TJ -Junction Temperature (°C)

VGS =4.5 V

VGS =2.5 V

ID =5.1 A

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