SI5475DDC datasheet(3/7 Pages) VISHAY

Nome de Peças	SI5475DDC

Descrição Electrónicos	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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S-82487-Rev. B, 13-Oct-08

www.vishay.com

3

Vishay Siliconix

Si5475DDC

New Product

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

Output Characteristics

On Resistance vs. Drain Current

Gate Charge

0

4

8

12

16

20

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

VGS =5thru 2 V

VGS =1.5 V

VGS =1 V

0.00

0.02

0.04

0.06

0.08

0

5

10

15

20

ID - Drain Current (A)

VGS =1.8V

VGS =2.5 V

VGS =4.5 V

0

2

4

6

8

0

8

16

24

32

Qg - Total Gate Charge (nC)

ID =7.5 A

VDS =6 V

VDS =9.6 V

Transfer Characteristics

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

0

2

4

6

8

10

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

TC = 25 °C

TC = 125 °C

TC = - 55 °C

Crss

0

500

1000

1500

2000

2500

036

9

12

Ciss

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

Coss

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

TJ -Junction Temperature (°C)

VGS =1.8V,ID =2A

VGS =4.5 V,2.5 V,ID =5.4 A

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