IRF6N40 datasheet(3/3 Pages) SUNTAC

Nome de Peças	IRF6N40

Descrição Electrónicos	POWER MOSFET

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Fabricante Electrônico	SUNTAC [Suntac Electronic Corp.]

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IRF6N40

POWER MOSFET

SmartStar Technology, Inc.

2

Figure 1. Id versus Vds Curve

Figure 2. Rdon versus Tj Curve

Figure 3. Vgs versus Qg Curve

Figure 4. Capacitor versus Vds Curve

0

2

4

6

8

10

12

0.00

10.00

20.00

30.00

Total Gate Charge, Qg (nC)

Vds = 320 V

Id = 5.5 A

1

10

100

1000

10000

1.0

10.0

100.0

1000.0

Drain-to-Source Voltage , Vds (V)

Tc = 25 C

f = 1 MHz

Vgs = 0 V

Ciss =Cgd+Cgs

Cos s=Cds+Cgd

Cr ss=Cgd

0

2

4

6

8

10

12

0.1

1

10

Drain-to-Source Voltage, Vds (V)

Tc = 25 C

Pulsewidth =20us

Vgs = 10V (Top), 8V, 7V, 6V

5.5V, 5V, 4.5V (Bottom)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

-60

-20

20

60

100

140

Junction Tem pe rature , Tj (C)

Vgs = 10 V

Id = 5.5 A

Figure 5. Transient thermal impedance Curve

0.01

0.1

1

10

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

Pulse Width (second)

Duty Cycle = 0.5 (Top), 0.2, 0.1, 0.05,

0.02, 0.01, Single Pulse (Bottom)

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TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS

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