BA592 datasheet(2/2 Pages) SIEMENS

Nome de Peças	BA592

Descrição Electrónicos	Silicon RF Switching Diode

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Fabricante Electrônico	SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]

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Semiconductor Group

2

BA 592

Electrical Characteristics

at TA = 25 ˚C, unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

min.

typ.

Unit

Values

max.

Forward voltage

IF = 100 mA

VF

V

––1

Reverse current

VR = 20 V

IR

nA

––20

Diode capacitance

f = 1 MHz

VR = 1 V

VR = 3 V

CT

pF

–

0.6

0.92

0.85

1.4

1.1

Forward resistance

f = 100 MHz

IF = 3 mA

IF = 10 mA

rf

Ω

–

0.45

0.36

0.7

0.5

Reverse resistance

VR = 1 V, f = 100 MHz

1/gp

K

Ω

–

100

–

Series inductance

LS

nH

–2–

Diode capacitance CT = f (VR)

f = 1 MHz

Forward resistance rf = f (IF)

f = 100 MHz

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