SI2336DS datasheet(4/10 Pages) VISHAY

Nome de Peças	SI2336DS

Descrição Electrónicos	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Document Number: 71978

S10-2247-Rev. A, 04-Oct-10

Vishay Siliconix

Si2336DS

New Product

TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)

Source-Drain Diode Forward Voltage

Threshold Voltage

0.1

1

10

100

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

TJ = 25 °C

TJ = 150 °C

V

SD - Source-to-Drain Voltage (V)

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

ID = 250 μA

T

J - Temperature (°C)

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Power

0

0.02

0.04

0.06

0.08

0.10

01

2

3

45

TJ =25 °C

TJ = 125 °C

ID =3.8 A

V

GS - Gate-to-Source Voltage (V)

0

10

20

30

40

Time (s)

10

1000

0.1

0.01

0.001

100

1

Safe Operating Area, Junction-to-Ambient

100

1

0.1

1

10

100

0.01

10

0.1

TA =25 °C

Single Pulse

1s,10s

Limited by RDS(on)*

BVDSS Limited

1ms

100 μs

10 ms

DC

100 ms

V

DS - Drain-to-Source Voltage (V)

* V

GS > minimum VGS at which RDS(on) is specified

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