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BUZ173 Folha de dados(PDF) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BUZ173 Folha de dados(HTML) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
8 / 9 page Semiconductor Group 8 07/96 BUZ 173 Avalanche energy E AS = ƒ(Tj) parameter: ID = -3.6 A, VDD = -25 V R GS = 25 Ω, L = 23 mH 20 40 60 80 100 120 °C 160 T j 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 mJ 220 E AS Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS = ƒ(Tj) -60 -20 20 60 100 °C 160 T j -180 -185 -190 -195 -200 -205 -210 -215 -220 -225 -230 V -240 V (BR)DSS |
Nº de peça semelhante - BUZ173 |
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Descrição semelhante - BUZ173 |
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