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BUZ271 Folha de dados(PDF) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
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BUZ271 Folha de dados(HTML) 8 Page - Siemens Semiconductor Group |
8 / 9 page Semiconductor Group 8 07/96 BUZ 271 Avalanche energy E AS = ƒ(Tj) parameter: ID = -22 A, VDD = -25 V R GS = 25 Ω, L = 413 µH 20 40 60 80 100 120 °C 160 T j 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 mJ 220 E AS Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS = ƒ(Tj) -60 -20 20 60 100 °C 160 T j -45 -46 -47 -48 -49 -50 -51 -52 -53 -54 -55 -56 -57 V -60 V (BR)DSS |
Nº de peça semelhante - BUZ271 |
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Descrição semelhante - BUZ271 |
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