SI2315BDS-T1 datasheet(3/9 Pages) VISHAY

Nome de Peças	SI2315BDS-T1

Descrição Electrónicos	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Document Number: 72014

S-80642-Rev. E, 24-Mar-08

www.vishay.com

3

Vishay Siliconix

Si2315BDS

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

Output Characteristics

On-Resistance vs. Drain Current

Gate Charge

0

2

4

6

8

10

12

0

123

456

VGS = 4.5 thru 2 V

1.5 V

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

0.00

0.05

0.10

0.15

0.20

0.25

0.30

0

246

8

10

12

VGS = 4.5 V

VGS = 2.5 V

ID - Drain Current (A)

VGS = 1.8 V

0

1

2

3

4

5

0

2468

10

VDS = 6 V

ID = 3.5 A

Qg - Total Gate Charge (nC)

Transfer Characteristics

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

0

2

4

6

8

10

12

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

25 °C

TC = 125 °C

- 55 °C

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

0

200

400

600

800

1000

1200

0

246

8

10

12

Crss

Coss

Ciss

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

VGS = 4.5 V

ID = 3.5 A

TJ - Junction Temperature (°C)

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