SI7501DN-T1-E3 datasheet(3/15 Pages) VISHAY

Nome de Peças	SI7501DN-T1-E3

Descrição Electrónicos	Complementary 30-V (D-S) MOSFET

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Document Number: 72173

S-81544-Rev. D, 07-Jul-08

www.vishay.com

3

Vishay Siliconix

Si7501DN

P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS

25 °C, unless otherwise noted

Output Characteristics

On-Resistance vs. Drain Current

Gate Charge

0

5

10

15

20

25

0

1234

5

VGS = 10 thru 6 V

4 V

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

5 V

3 V

0.00

0.04

0.08

0.12

0.16

0

5

10

15

20

25

ID - Drain Current (A)

VGS = 10 V

VGS = 6 V

0

2

4

6

8

10

0

3

6

9

12

15

VDS = 15 V

ID = 6.4 A

Qg - Total Gate Charge (nC)

Transfer Characteristics

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

0

5

10

15

20

25

0

123

456

TC = - 55 °C

125 °C

25 °C

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

0

200

400

600

800

1000

0

6

12

18

24

30

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

Crss

Coss

Ciss

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

VGS = 10 V

ID = 6.4 A

TJ - Junction Temperature (°C)

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