2SJ553L datasheet(5/9 Pages) HITACHI

Nome de Peças	2SJ553L

Descrição Electrónicos	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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Fabricante Electrônico	HITACHI [Hitachi Semiconductor]

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2SJ553(L),2SJ553(S)

5

1000

500

200

50

100

20

10

0.1

0.3

3

0

–10

–20

–30

–40

–50

10000

1000

300

100

0

–20

–40

–60

–80

0

–4

–8

–12

–16

–20

–100

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120

160

200

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200

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100

20

50

10

–0.1 –0.3

–1

–3

–10

1

30

10

DS

V

GS

V

= –10 V

–25 V

–50 V

DD

100

V

= –10 V

–25 V

–50 V

DD

3000

Ciss

Coss

Crss

V

= 0

f = 1 MHz

GS

–30

–100

r

t

d(off)

t

t f

d(on)

t

10

di / dt = 50 A / µs

V

= 0, Ta = 25 °C

GS

Reverse Drain Current

I

(A)

DR

Body–Drain Diode Reverse

Recovery Time

Drain to Source Voltage V

(V)

DS

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

Gate Charge

Qg (nc)

Dynamic Input Characteristics

Drain Current

I

(A)

D

Switching Characteristics

V

= –10 V, V

= –30 V

PW = 5 µs, duty < 1 %

GS

DD

=

I = –30 A

D

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