2SK1058 datasheet(5/8 Pages) HITACHI

Nome de Peças	2SK1058

Descrição Electrónicos	Silicon N-Channel MOS FET

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Fabricante Electrônico	HITACHI [Hitachi Semiconductor]

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2SK1056, 2SK1057, 2SK1058

5

Drain to Source Saturation

Voltage vs. Drain Current

1.0

Drain Current ID (A)

2

0.5

0.2

5

1.0

2

5

10

0.1

0.5

0.2

0.1

10

T C

=

–25

°C

25

°C

75

°C

VGD = 0

Drain to Source Voltage vs.

Gate to Source Voltage

6

Gate to Source Voltage VGS (V)

8

4

2

010

4

6

8

10

0

2

ID = 1 A

5A

TC = 25°C

2A

Input Capacitance vs. Gate

Source Voltage

1000

500

200

100

0–2

–4

–10

Gate to Source Voltage VGS (V)

–6

–8

VDS = 10 V

f = 1 MHz

Forward Transfer Admittance

vs. Frequency

3.0

1.0

0.3

0.1

0.03

0.01

0.003

10 k

30 k 100 k

300 k 1 M

10 M

Frequency f (Hz)

3 M

TC = 25°C

VDS = 10 V

ID = 2 A

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