SI2312DS datasheet(3/4 Pages) KEXIN

Nome de Peças	SI2312DS

Descrição Electrónicos	N-Channel Enhancement MOSFET

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Fabricante Electrônico	KEXIN [Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]

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SMD Type

www.kexin.com.cn

3

MOSFET

N-Channel Enhancement MOSFET

SI2312DS (KI2312DS)

■

Typical Characterisitics

0

3

6

9

12

15

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

0

3

6

9

12

15

0

1

2

3

4

V GS = 4.5 thru 2.0 V

T C = 125 C

-55 C

1.5 V

25 C

s

c

it

s

ir

e

t

c

a

r

a

h

C

r

e

f

s

n

a

r

T

s

c

it

s

ir

e

t

c

a

r

a

h

C

t

u

p

t

u

O

V DS

-

Drain-to-Source Voltage (V)

V GS

-

Gate-to-Source Voltage (V)

1.0 V

0.5 V

0

300

600

900

1200

1500

0

4

8

12

16

20

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

0

2

4

6

8

0

4

8

12

16

20

0.00

0.03

0.06

0.09

0.12

0.15

0

3

6

9

12

15

V DS

-

Drain-to-Source Voltage (V)

C oss

C iss

V DS = 10 V

I D = 5.0 A

ID - Drain Current (A)

V GS = 4.5 V

I D = 5.0 A

V GS = 1.8 V

Gate Charge

On-Resistance vs. Drain Current

Qg - Total Gate Charge (nC)

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

TJ - Junction Temperature ( C)

V GS = 2.5 V

V GS = 4.5 V

C rss

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