SI2302DS-3 datasheet(3/4 Pages) KEXIN

Nome de Peças	SI2302DS-3

Descrição Electrónicos	N-Channel Enhancement MOSFET

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Fabricante Electrônico	KEXIN [Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]

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SMD Type

www.kexin.com.cn

3

MOSFET

■

Typical Characterisitics

0

2

4

6

8

10

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

On-Resistance vs. Drain Current

s

c

it

s

ir

e

t

c

a

r

a

h

C

r

e

f

s

n

a

r

T

s

c

it

s

ir

e

t

c

a

r

a

h

C

t

u

p

t

u

O

VDS – Drain-to-Source Voltage (V)

VGS – Gate-to-Source Voltage (V)

0

2

4

6

8

10

0

1

2

3

4

5

TC = 125 C

–55 C

0, 0.5, 1 V

VGS = 5 thru 2.5 V

1.5 V

2 V

0

200

400

600

800

1000

0

4

8

12

16

20

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

–50

0

50

100

150

0

1

2

3

4

5

0

1

2

3

4

5

6

7

0

0.03

0.06

0.09

0.12

0.15

0

2

4

6

8

10

Gate Charge

Qg – Total Gate Charge (nC)

VDS – Drain-to-Source Voltage (V)

Crss

Coss

Ciss

VDS = 10 V

ID = 3.6 A

ID – Drain Current (A)

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

VGS = 4.5 V

ID = 3.6 A

TJ – Junction Temperature ( C)

VGS = 2.5 V

VGS = 4.5 V

25 C

。

SI2302DS (KI2302DS)

N-Channel Enhancement MOSFET

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