IRF830 datasheet(3/7 Pages) KERSEMI

Nome de Peças	IRF830

Descrição Electrónicos	Power MOSFET

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Fabricante Electrônico	KERSEMI [Kersemi Electronic Co., Ltd.]

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TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

Fig. 1 - Typical Output Characteristics, TC = 25 °C

Fig. 2 - Typical Output Characteristics, TC = 150 °C

Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics

Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature

91063_01

101

100

10-1

100

101

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

Bottom

Top

V

GS

15 V

10 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.5 V

5.0 V

4.5 V

20 µs Pulse Width

T

C = 25 °C

4.5 V

91063_02

101

100

10-1

100

101

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

4.5 V

Bottom

Top

V

GS

15 V

10 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.5 V

5.0 V

4.5 V

20 µs Pulse Width

T

C = 150 °C

20 µs Pulse Width

V

DS = 50 V

91063_03

101

100

10-1

VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

56

7

8

910

4

25

°C

150

°C

I

D = 3.1 A

V

GS = 10 V

91063_04

3.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

- 60 - 40 - 20

0

20

40

60 80 100 120 140 160

TJ, Junction Temperature (°C)

IRF830

2014-8-9

3

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