IRFU9024N datasheet(3/10 Pages) IRF

Nome de Peças	IRFU9024N

Descrição Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

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IRFR/U9024N

Fig 4. Normalized On-Resistance

Vs. Temperature

Fig 2. Typical Output Characteristics

Fig 1. Typical Output Characteristics

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

20µs PULSE WIDTH

T = 25 C

J

°

TOP

BOTTOM

VGS

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

-4.5V

-V

, Drain-to-Source Voltage (V)

DS

-4.5V

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

20µs PULSE WIDTH

T = 150 C

J

°

TOP

BOTTOM

VGS

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

-4.5V

-V

, Drain-to-Source Voltage (V)

DS

-4.5V

-60 -40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

T , Junction Temperature( C)

J

°

V

=

I =

GS

D

-10V

-11A

0.1

1

10

100

4

5

6

7

8

9

10

V

= -25V

20µs PULSE WIDTH

DS

-V

, Gate-to-Source Voltage (V)

GS

T = 150 C

J

°

T = 25 C

J

°

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
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International Rectifier	IRFU9024NCPBF	1Mb / 10P	HEXFET POWER MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRFU9024NCPBF	5Mb / 10P	ULTRA LOW ON-RESISTANCE
Kersemi Electronic Co.,...	IRFU9024NCPBF	5Mb / 10P	HEXFET Power MOSFET

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	IRF9Z24N	109Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
	IRFR9024NPBF	1Mb / 11P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175廓 , ID = -11A )
	C50IRF	164Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A)
	IRF9640	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A)
	IRFP340	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=11A)
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	IRF9Z24S	311Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
	448IRF	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A)
	IRF9640S	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A)

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