KMB6D0DN30QB datasheet(4/5 Pages) KEC

Nome de Peças	KMB6D0DN30QB

Descrição Electrónicos	Dual N-Ch Trench MOSFET

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Fabricante Electrônico	KEC [KEC(Korea Electronics)]

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2011. 8. 30

4/5

KMB6D0DN30QB

Revision No : 0

Square Wave Pulse Duration (sec)

101

102

103

10-3

10-2

10-1

1

10-4

Fig10. Transient Thermal Response Curve

10-1

10-2

10-3

1

Drain - Source Voltage V

DS (V)

Fig9. Safe Operation Area

10

1

10

1

10

2

10

-1

10

-2

10

-1

10

0

10

0

10

2

V

GS= 10V

SINGLE PULSE

RθJA = 62.5 C/W

Operation in this

area is limited by R

DS(ON)

1ms

10ms

10s

100ms

1s

DC

t1

t2

PDM

RθJA= 62.5 C/W

Single Pluse

0.02

0.1

0.01

0.2

0.5

0.05

100

µs

Gate - Charge Qg (nC)

0

10

6

2

4

8

16

12

48

020

Fig8. Qg - VGS

V

DS = 15V

I

D =

2A

Fig7. C - VDS

Drain - Source Voltage VDS (V)

0

200

600

800

1000

1200

400

1600

1800

1400

020

10

525

15

30

Ciss

Coss

Crss

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