BF1100WR_15 datasheet(9/14 Pages) JMNIC

Nome de Peças	BF1100WR

Descrição Electrónicos	Dual-gate MOS-FET

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Fabricante Electrônico	JMNIC [Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.]

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1995 Apr 25

9

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Dual-gate MOS-FET

BF1100WR

Fig.18 Input admittance as a function of

frequency; typical values.

VDS = 9 V; VG2 =4V.

ID = 10 mA; Tamb =25 °C.

handbook, halfpage

10 3

MLD181

102

10

10 1

10 2

10

1

y is

(mS)

f (MHz)

b is

g is

VDS = 9 V; VG2 =4V.

ID = 10 mA; Tamb =25 °C.

Fig.19 Reverse transfer admittance and phase as

a function of frequency; typical values.

10 3

MLD182

102

10

10 3

10 2

10

1

y rs

10 3

10

1

2

rs

(

µS)

f (MHz)

rs

yrs

(deg)

ϕ

Fig.20 Forward transfer admittance and phase as

a function of frequency; typical values.

VDS = 9 V; VG2 =4V.

ID = 10 mA; Tamb =25 °C.

10 3

MLD183

102

10

1

10 2

10

1

10

2

y fs

(mS)

y fs

f (MHz)

fs

(deg)

ϕ

Fig.21 Output admittance as a function of

frequency; typical values.

VDS = 9 V; VG2 =4V.

ID = 10 mA; Tamb =25 °C.

handbook, halfpage

10 3

MLD184

102

10

10 1

10

1

10 2

yos

(mS)

f (MHz)

bos

gos

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