BF772 datasheet(2/3 Pages) INFINEON

Nome de Peças	BF772

Descrição Electrónicos	NPN Silicon RF Transistor

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Fabricante Electrônico	INFINEON [Infineon Technologies AG]

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BF772

Jun-27-2001

2

Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Values

Unit

min.

typ.

max.

DC characteristics

Collector-emitter breakdown voltage

IC = 1 mA, IB = 0

-

V(BR)CEO

-

V

12

Collector-emitter cutoff current

VCE = 20 V, VBE = 0

ICES

µA

-

100

Collector-base cutoff current

VCB = 10 V, IE = 0

nA

ICBO

-

100

Emitter-base cutoff current

VEB = 1 V, IC = 0

IEBO

µA

-

1

DC current gain

IC = 30 mA, VCE = 8 V

hFE

50

100

200

-

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