IRLL014N datasheet(4/9 Pages) IRF

Nome de Peças	IRLL014N

Descrição Electrónicos	HEXFET Power MOSFET

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

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IRLL014N

4

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Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Gate-to-Source Voltage

Fig 5. Typical Capacitance Vs.

Drain-to-Source Voltage

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Forward Voltage

0

100

200

300

400

1

1 0

100

DS

V

, D rain-to-S ourc e V oltage (V )

A

V

= 0V ,

f = 1M H z

C

= C

+ C

, C

S H O R T E D

C

= C

C

= C

+ C

GS

is s

g s

g d

d s

rs s

g d

o ss

d s

gd

C iss

C oss

C rss

0

4

8

12

16

20

0

3

6

9

12

15

Q

, T otal G ate C harge (nC )

G

A

F O R TE S T CIR C U IT

S E E F IG U R E 9

I

= 2.0 A

V

= 4 4V

V

= 2 8V

D

DS

0.1

1

10

100

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

T = 2 5°C

T = 150°C

J

V

= 0V

GS

V

, S o urc e-to-D rain V o ltage (V )

SD

A

0.1

1

10

100

1

1 0

100

V

, D ra in-to-S o u rce V o lta ge (V )

DS

O P E R A T IO N IN T H IS A R E A L IM ITE D

B Y R DS (on)

T

= 25 °C

T

= 15 0°C

Sing le P u ls e

10µ s

1 00µs

1m s

10m s

A

J

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