SI4569DY datasheet(4/12 Pages) VISHAY

Nome de Peças	SI4569DY

Descrição Electrónicos	N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Document Number: 73586

S09-0393-Rev. B, 09-Mar-09

Vishay Siliconix

Si4569DY

N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS

25 °C, unless otherwise noted

Output Characteristics

On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage

Gate Charge

0

4

8

12

16

20

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

VGS = 10 thru 3 V

2 V

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

04

8

12

16

20

VGS = 10 V

ID - Drain Current (A)

VGS = 4.5 V

0.018

0.020

0.022

0.024

0.026

0.028

0.030

0

2

4

6

8

10

0.0

4.4

8.8

13.2

17.6

22.0

Qg - Total Gate Charge (nC)

ID = 5 A

VDS = 20 V

VDS = 10 V

VDS = 30 V

Transfer Characteristics

Capacitance

On-Resistance vs. Junction Temperature

0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

25 °C

TC = 125 °C

- 55 °C

VGS - Gate-to-Source Voltage (V)

0

280

560

840

1120

1400

0

8

16

24

32

40

Coss

Ciss

VDS - Drain-to-Source Voltage (V)

Crss

0.5

0.8

1.1

1.4

1.7

2.0

- 50

- 25

0

25

50

75

100

125

150

TJ - Junction Temperature (°C)

VGS = 10 V

VGS = 4.5 V

ID = 5 A

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VBsemi Electronics Co.,...	SI4569DY-T1-E3	1Mb / 14P	N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	SI4569DY	134Kb / 12P	N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET 01-Jan-2022

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