FQP90N10V2 datasheet(4/10 Pages) FAIRCHILD

Nome de Peças	FQP90N10V2

Descrição Electrónicos	100V N-Channel MOSFET

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Fabricante Electrônico	FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]

Página de início	http://www.fairchildsemi.com

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Rev. A1, April 2004

Typical Characteristics (Continued)

Figure 10. Maximum Drain Current

vs Case Temperature

-100

-50

0

50

100

150

200

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

Notes :

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250

µA

T

J

, Junction Temperature [

°C]

-100

-50

0

50

100

150

200

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

Notes :

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 45 A

T

J

, Junction Temperature [

°C]

10

0

10

1

10

2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

10

µs

DC

10 ms

1 ms

100

µs

Operation in This Area

is Limited by R

DS(on)

Notes :

1. T

C

= 25

°C

2. T

J

= 175

°C

3. Single Pulse

V

DS

, Drain-Source Voltage [V]

10

0

10

1

10

2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

10

µs

DC

10ms

1 ms

100

µs

OperationinThis Area

is Limited byR

DS(on)

Notes :

1. T

C

= 25

°C

2. T

J

= 175

°C

3. Single Pulse

V

DS

, Drain-Source Voltage [V]

25

50

75

100

125

150

175

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

T

C

, Case Temperature [

°C]

Figure 7. Breakdown Voltage Variation

vs Temperature

Figure 8. On-Resistance Variation

vs Temperature

Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area

for FQP90N10V2

Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area

for FQPF90N10V2

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